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Productos
ESPECIFICACIONES
Aplicación: Client PCs, Game Consoles
Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensiones: 80 x 22 x 2.3 mm
Peso: 9.0g
Detalle de especificaciones
Capacidad: 2000GB (1GB=1000 millones de bytes IDEMA)
Formato: M.2 (2280)
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador: Samsung in-house Controller
Memoria caché: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Soporte TRIM: SI
Soporte S.M.A.R.T: SI
GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN: NO
Soporte Modo Suspensión en dispositivo: SIí
Rendimiento
Lectura secuencial: hasta 7450 MB/s
Escritura secuencial: hasta 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1,550,000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 22,000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 80,000 IOPS
Consumo energético medio
*Average: 5.4 W*Maximum: 7.8 W (Burst mode)
Consumo energético (Idle): Max. 50 mW
Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC
Resistencia: 1200 TBW
Aplicación: Client PCs, Game Consoles
Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensiones: 80 x 22 x 2.3 mm
Peso: 9.0g
Detalle de especificaciones
Capacidad: 2000GB (1GB=1000 millones de bytes IDEMA)
Formato: M.2 (2280)
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador: Samsung in-house Controller
Memoria caché: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Soporte TRIM: SI
Soporte S.M.A.R.T: SI
GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN: NO
Soporte Modo Suspensión en dispositivo: SIí
Rendimiento
Lectura secuencial: hasta 7450 MB/s
Escritura secuencial: hasta 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1,550,000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 22,000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 80,000 IOPS
Consumo energético medio
*Average: 5.4 W*Maximum: 7.8 W (Burst mode)
Consumo energético (Idle): Max. 50 mW
Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC
Resistencia: 1200 TBW
SSD Samsung 990 PRO M.2 NVMe 2TB
$368.556,00
Sin stock
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Aplicación: Client PCs, Game Consoles
Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensiones: 80 x 22 x 2.3 mm
Peso: 9.0g
Detalle de especificaciones
Capacidad: 2000GB (1GB=1000 millones de bytes IDEMA)
Formato: M.2 (2280)
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador: Samsung in-house Controller
Memoria caché: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Soporte TRIM: SI
Soporte S.M.A.R.T: SI
GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN: NO
Soporte Modo Suspensión en dispositivo: SIí
Rendimiento
Lectura secuencial: hasta 7450 MB/s
Escritura secuencial: hasta 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
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Consumo energético medio
*Average: 5.4 W*Maximum: 7.8 W (Burst mode)
Consumo energético (Idle): Max. 50 mW
Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC
Resistencia: 1200 TBW
Aplicación: Client PCs, Game Consoles
Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensiones: 80 x 22 x 2.3 mm
Peso: 9.0g
Detalle de especificaciones
Capacidad: 2000GB (1GB=1000 millones de bytes IDEMA)
Formato: M.2 (2280)
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador: Samsung in-house Controller
Memoria caché: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Soporte TRIM: SI
Soporte S.M.A.R.T: SI
GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN: NO
Soporte Modo Suspensión en dispositivo: SIí
Rendimiento
Lectura secuencial: hasta 7450 MB/s
Escritura secuencial: hasta 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1,550,000 IOPS
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Consumo energético medio
*Average: 5.4 W*Maximum: 7.8 W (Burst mode)
Consumo energético (Idle): Max. 50 mW
Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC
Resistencia: 1200 TBW
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12 cuotas de $65.572,26 | Total $786.867,06 | |
24 cuotas de $54.457,22 | Total $1.306.973,29 |
3 cuotas de $172.349,07 | Total $517.047,21 | |
6 cuotas de $107.864,06 | Total $647.184,34 |
3 cuotas de $180.592,44 | Total $541.777,32 | |
6 cuotas de $116.217,99 | Total $697.307,95 |
18 cuotas de $57.490,64 | Total $1.034.831,54 |
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